[发明专利]一种AlN陶瓷敷铜基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201410010989.4 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103819214A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 井敏;黄礼侃;赵建光;黄列武 | 申请（专利权）人： | 南京中江新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211161 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种AlN陶瓷敷铜基板，包括：AlN陶瓷基板、敷接于AlN陶瓷基板上的铜箔，其特征在于：所述AlN陶瓷基板与铜箔之间形成尖晶石结构化合物改性层，所述尖晶石结构化合物改性层中含有CuAlO2、CuAl2O4，以及Cu2O、CuO中的一种或两种。本发明还提供上述AlN陶瓷敷铜基板的制备方法方法。本发明通过喷涂纳米Cu2O在AlN基板表面，先后在微氧含量的惰性气体以及空气中烧结，后用酸洗的方式去除表面氧化物。所制备的改性层与基体陶瓷结合紧密，和Cu箔亦有良好的亲和特性。所用Cu箔在配制的溶液中一定温度下放置规定的时间可以在Cu箔表面形成均匀的氧化层，更有利于AlN-DBC工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 aln 陶瓷 敷铜基板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种AlN陶瓷敷铜基板，包括：AlN陶瓷基板、敷接于AlN陶瓷基板上的铜箔，其特征在于：所述AlN陶瓷基板与铜箔之间形成尖晶石结构化合物改性层，所述尖晶石结构化合物改性层中含有CuAlO2、CuAl2O4，以及 Cu2O、CuO中的一种或两种。
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