[发明专利]元器件内置基板的制造方法及元器件内置基板

摘要

一种元器件内置基板(20)的制造方法中，在形成外侧金属层(14)后，形成从外侧金属层(14)起贯通第1绝缘层(5)及第2绝缘层(11)并到达IC元器件(4)第2端子(4b)的导通孔(16)。

主权项

1.一种元器件内置基板的制造方法，该元器件内置基板的制造方法所制造出的元器件内置基板内置有IC元器件，所述IC元器件在第1表面侧具备第1端子，在具有比所述第1表面侧要脆弱的结构的第2表面侧具备第2端子，该元器件内置基板的制造方法的特征在于，具备以下工序：准备工序，该准备工序准备在表面上形成有金属膜的支承板；搭载工序，该搭载工序经由粘合层在所述金属膜的表面上粘合所述第1端子，并在所述粘合层的相反侧配置所述第2端子以搭载IC元器件；第1绝缘层形成工序，该第1绝缘层形成工序以覆盖所述金属膜及所述IC元器件的方式层叠绝缘树脂材料，并形成埋设所述IC元器件的第1绝缘层；内侧金属层形成工序，该内侧金属层形成工序在所述第1绝缘层的表面上形成内侧金属层；第1端子用布线图案形成工序，该第1端子用布线图案形成工序将所述第1端子与所述金属膜电连接，形成第1端子用布线图案；第2绝缘层形成工序，该第2绝缘层形成工序以覆盖所述内侧金属层的方式层叠绝缘树脂材料，形成第2绝缘层；外侧金属层形成工序，该外侧金属层形成工序在所述第2绝缘层的表面上形成外侧金属层；以及导通孔形成工序，该导通孔形成工序形成从所述外侧金属层贯通所述第1绝缘层及第2绝缘层并到达所述第2端子的通孔，在所述通孔内填充导电体，形成将所述外侧金属层和所述第2端子电连接的导通孔。