[发明专利]用于测量磁场的屏蔽装置、屏蔽方法及消磁有效

专利信息
申请号: 201380074361.4 申请日: 2013-03-08
公开(公告)号: CN105074487B 公开(公告)日: 2018-03-16
发明(设计)人: 金基雄;李龙镐;刘权规;李成柱 申请(专利权)人: 韩国标准科学研究院
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;H05K9/00
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,李伟
地址: 韩国大田*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及用于测量微弱磁场的屏蔽装置和屏蔽方法。更具体地,本发明涉及其中具有精密磁传感器的屏蔽装置,用于屏蔽包括用于激励样本的磁场生成装置的微弱磁场测量装置中的外部磁场,用于测量微弱磁场的屏蔽装置包括屏蔽墙,设置有具有高导电性并且被分割为多个部分以及具有高频屏蔽特性的高导电性金属层和与高导电性金属层间隔开预定距离的闭合的高磁导率软磁层,以密封测量空间。
搜索关键词: 用于 测量 磁场 屏蔽 装置 方法 消磁
【主权项】:
一种屏蔽装置,其中具有精密磁传感器,用于屏蔽包括用于激励样本的磁场生成装置的微弱磁场测量装置中的外部磁场,用于测量微弱磁场的所述屏蔽装置包括:屏蔽墙,被设置有:高导电性金属层,具有高导电性并且被分割为多个部分以及具有高频屏蔽特性;和闭合的高磁导率软磁层,与所述高导电性金属层间隔开预定距离,以密封测量空间,其中,屏蔽所述外部磁场,并且切断了通过由所述磁场生成装置生成的激励磁场感应的涡电流的流动,使得由所述涡电流生成的磁场不干扰测量所述微弱磁场;其中,所述屏蔽墙被形成为多层墙,并且构成最外部屏蔽墙的高导电性金属层的所有表面都是闭合的;所述屏蔽墙包括可以打开或关闭的门,以放入所述样本并且输入和输出其他装置,并且当所述门关闭时,所述最外部屏蔽墙的高导电性金属层的所有表面都是闭合的;由于所述最外部屏蔽墙的高导电性金属层的所有表面都是闭合的,并且当所述屏蔽装置的屏蔽墙的位于更内侧处时,围绕所述测量空间的高导电性金属层进一步被分割,所以减小了所述高导电性金属层的面积。
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