[发明专利]磁记录介质及其制造方法有效
申请号: | 201380068621.7 | 申请日: | 2013-12-18 |
公开(公告)号: | CN104885154B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 楢舘英知;佐藤晃央;芝本雅弘;山中和人 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66;G11B5/84;G11B5/851 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供能以高吞吐量生产将磁各向异性大的L10型的有序合金用于磁记录层、具有高矫顽力的磁记录介质的、磁记录介质及其制造方法。通过在用于提高包含具有L10型结构的有序合金的磁记录层的结晶性的取向控制层的下层设置具有面心立方结构的金属基底层,从而即使在使该取向控制层薄膜化时也能够形成具有充分的矫顽力的磁记录层,能够使主要由氧化物构成的取向控制层薄膜化,因此能够提高吞吐量。 | ||
搜索关键词: | 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁记录介质,其特征在于,具备:软磁性层;在所述软磁性层上形成的金属基底层;在所述金属基底层上、与所述金属基底层接触而形成的取向控制层;以及在所述取向控制层上、与所述取向控制层接触而形成的包含具有L10型结构的有序合金的磁记录层,所述金属基底层的晶格常数为0.353nm~0.410nm,在常温且常压下具有面心立方结构,所述金属基底层使用Ag、Al、Au、Cu、Ir、Ni、Pt、Pd、Rh中的1种而构成、或者使用包含Ag、Al、Au、Cu、Ir、Ni、Pt、Pd、Rh中的1种以上的合金而构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能安内华股份有限公司,未经佳能安内华股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380068621.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于电子设备的垂直滑动门
- 下一篇:运动模拟器