[发明专利]用于在基板上形成并保护薄膜的方法和结构有效

专利信息
申请号: 201380058277.3 申请日: 2013-09-27
公开(公告)号: CN104769152B 公开(公告)日: 2018-02-02
发明(设计)人: 黄佳艺;托马斯·邱 申请(专利权)人: 太阳能公司
主分类号: C23C16/00 分类号: C23C16/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 顾丽波,井杰
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了用于在基板上形成薄膜的方法。所述方法包括通过使含有氟的第一气体流入来清洁工艺腔室(402)。所述方法还包括通过使第二气体在第一持续时间期间流入来用包含非晶硅(A‑Si)的第一包封层涂覆所述工艺腔室,其中所述第一包封层抵抗氟污染(404)。所述方法还包括将基板加载到所述工艺腔室中(406),通过使第三气体流入所述工艺腔室中来在所述基板上沉积薄膜(408),然后从所述工艺腔室卸载所述基板(410)。所述薄膜可包含氮化硅(SiN),所述第一气体可包括三氟化氮(NF3)气体,并且第二气体可包括硅烷(SiH4)气体。所述薄膜可使用等离子体增强型化学气相沉积来形成。所述基板可为太阳能电池或液晶显示器(LCD)。
搜索关键词: 用于 基板上 形成 保护 薄膜 方法 结构
【主权项】:
一种用于在基板上形成薄膜的方法,包括:通过使包含氟的第一气体流入工艺腔室中来清洁所述工艺腔室;通过使第二气体在第一持续时间期间流入所述工艺腔室中来用包含非晶硅的第一包封层涂覆所述工艺腔室,其中所述第一包封层抵抗氟污染;在用所述第一包封层涂覆所述工艺腔室之后,将基板加载到所述工艺腔室中;通过使第三气体流入所述工艺腔室中来在所述基板上沉积薄膜;然后从所述工艺腔室卸载所述基板。
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