[发明专利]用于在基板上形成并保护薄膜的方法和结构有效
申请号: | 201380058277.3 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN104769152B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 黄佳艺;托马斯·邱 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 顾丽波,井杰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了用于在基板上形成薄膜的方法。所述方法包括通过使含有氟的第一气体流入来清洁工艺腔室(402)。所述方法还包括通过使第二气体在第一持续时间期间流入来用包含非晶硅(A‑Si)的第一包封层涂覆所述工艺腔室,其中所述第一包封层抵抗氟污染(404)。所述方法还包括将基板加载到所述工艺腔室中(406),通过使第三气体流入所述工艺腔室中来在所述基板上沉积薄膜(408),然后从所述工艺腔室卸载所述基板(410)。所述薄膜可包含氮化硅(SiN),所述第一气体可包括三氟化氮(NF3)气体,并且第二气体可包括硅烷(SiH4)气体。所述薄膜可使用等离子体增强型化学气相沉积来形成。所述基板可为太阳能电池或液晶显示器(LCD)。 | ||
搜索关键词: | 用于 基板上 形成 保护 薄膜 方法 结构 | ||
【主权项】:
一种用于在基板上形成薄膜的方法,包括:通过使包含氟的第一气体流入工艺腔室中来清洁所述工艺腔室;通过使第二气体在第一持续时间期间流入所述工艺腔室中来用包含非晶硅的第一包封层涂覆所述工艺腔室,其中所述第一包封层抵抗氟污染;在用所述第一包封层涂覆所述工艺腔室之后,将基板加载到所述工艺腔室中;通过使第三气体流入所述工艺腔室中来在所述基板上沉积薄膜;然后从所述工艺腔室卸载所述基板。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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