[发明专利]带有温度调节布置的加工布置和加工基底的方法在审
| 申请号： | 201380056240.7 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN104995727A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | H.罗尔曼恩;M.克拉特泽 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康先进科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘林华;谭祐祥 |
| 地址： | 列支敦士*** | 国省代码： | 列支敦士登;LI |
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| 摘要： | 一种基底加工布置，其表现为热空腔，该热空腔带有两个反射表面和碳加热器，该碳加热器用于将基底有效地加热至750℃或更高的温度。已经显示，即使是带有在光谱的红外线部分中的低吸收特性的基底(玻璃、硅、蓝宝石)，也可通过在两个反射表面之间“夹入”基底(17)和加热元件(15)而有效地加热，该反射表面可通过镜子和PVD源的靶来建立。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 温度 调节 布置 加工 基底 方法 | ||
【主权项】：
一种表现为温度调节布置的基底加工布置，其包括带有两个反射表面的热空腔，所述热空腔基本包括：基座(19)，其带有延伸的、基本平面表面；基本平面的加热元件(15)，其在平行且远离并面对所述基座(19)的表面的平面中安装在所述基座(19)上方；基底支撑件(14)，构成为在其周边处承载基底(17)，所述基底(17)在操作期间与所述加热元件隔开但以其表面中的一个直接面对所述加热元件，其中，热反射表面或镜子(18)布置在所述基座(19)的表面上；第二反射器件在所述基底支撑件(14)的另一侧上布置在平行于所述基底和加热元件的另一平面中，使得在操作期间，基底(17)以其表面中的另一个直接面对所述反射器件；并且，不存在其它夹紧器件来在操作期间在基底支撑件(14)上将基底(17)保持在适当位置中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
