[发明专利]用于晶圆和膜片架的单个超平面晶圆台结构有效
申请号: | 201380045370.0 | 申请日: | 2013-09-02 |
公开(公告)号: | CN104620371B | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | 金剑平;李龙谦 | 申请(专利权)人: | 联达科技设备私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 新加坡加冷盆地工*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种晶圆台结构,其提供了适合于操持晶圆和膜片架的单个晶圆台表面,该晶圆台结构包括具有借助于形成在内基底托盘表面上或中的一组脊状物而形成在其中的一组隔室;布置在一组基底托盘隔室内的可硬化流体可渗透隔室材料;以及形成在基底托盘内表面中的一组开口,硬化隔室材料可通过该组开口暴露于负压或正压。基底托盘包括第一陶瓷材料(例如,瓷件),并且可硬化隔室材料包括第二陶瓷材料。借助于标准加工处理同时加工基底托盘和隔室材料,从而使得以基本上相同的速率对基底托盘和隔室材料的暴露的外表面进行平面化,以形成具有高或超高平面性的晶圆台表面。 | ||
搜索关键词: | 用于 膜片 单个 平面 圆台 结构 | ||
【主权项】:
一种晶圆台结构,所述晶圆台结构提供晶圆台表面,所述晶圆台结构包括:基底托盘,所述基底托盘包括多个第一暴露的上表面、内表面和与所述内表面形成为一体或者附接到所述内表面的多个隔室,所述基底托盘由可响应于所施加的负压而渗透气体或流体的至少一种类型的材料形成;多个脊状物,所述多个脊状物将所述多个隔室内的各个隔室彼此分隔,其中,所述基底托盘的所述多个第一暴露的上表面包括所述多个脊状物的暴露的上表面,其中,每一个隔室形成在所述多个脊状物内的至少一个脊状物的暴露的上表面之间的凹陷,并且其中,所述多个脊状物内的每一个脊状物以对应于标准晶圆大小和/或标准膜片架大小的方式设置尺寸;单组多个弹出销引导部件,单组多个弹出销能够行进通过所述单组多个弹出销引导部件以操持多个标准大小的晶圆,其中,单组多个弹出销引导部件中的每一个形成在多个脊状物内的最里脊状物的部分中;至少一种类型的隔室材料,所述至少一种类型的隔室材料布置在所述多个隔室内,所述至少一种类型的隔室材料可流动地或可模制地适形于所述多个隔室中的每一个的形状并且可硬化以在所述多个隔室中提供可响应于所施加的真空力而渗透气体或流体的硬化隔室材料,并且所述硬化隔室材料提供了多个第二暴露的上表面;以及多个开口,所述多个开口形成在所述基底托盘的所述内表面中,所述硬化隔室材料可通过所述多个开口暴露于负压或正压,其中,所述多个开口包括对应于多个隔室内的每一个隔室的至少一个开口,其中,(a)所述基底托盘的所述多个第一暴露的上表面和(b)所述硬化隔室材料的所述多个第二暴露的上表面可借助于公共加工处理同时进行加工以提供平面晶圆台表面,并且其中,所述晶圆台表面适用于操持晶圆、晶圆的部分和/或晶圆或其部分安装其上的膜片架。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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