[发明专利]用于制造非接触式微电路的方法有效
| 申请号： | 201380044934.9 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN104603798B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | G·布瓦龙;P·皮克 | 申请（专利权）人： | 维思电钥半导体公司 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 杨晓光,于静 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造非接触式微电路天线线圈的方法，包括步骤将第一导电层(AL)沉积在卡的第一面上；以及在所述第一层中，形成螺旋天线线圈(MA1)，所述线圈包括多个线匝，所述多个线匝包括连接到内部连接衬垫(ACT2)的内部线匝(IS)以及连接到外部连接衬垫(ACT1)的外部线匝(ES)。除了为了允许将所述外部连接衬垫(ACT1)连接到所述外部线匝的导电路线的流通的一个区域之外，所述外部线匝(ES)沿着所述天线线圈的整个轮廓而延伸。所述天线线圈(MA1)的外部和内部连接衬垫(ACT1、ACT2)被在所述外部线匝的中心区域(CZ)中形成。所述天线线圈包括旁路区域(CST1)，其中每个线匝绕过所述外部接触衬垫。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 接触 式微 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造非接触式微电路天线线圈的方法，包括以下步骤：将第一导电层沉积在晶片的第一面上，以及在第一导电层中以包括若干线匝的螺旋形式来形成天线线圈，所述天线线圈包括耦合到内部接触衬垫的内部线匝以及耦合到外部接触衬垫的外部线匝，特征在于，除了将所述外部接触衬垫耦合到所述外部线匝的导电路径能够通过的区域之外，所述外部线匝遵循天线线圈的整个轮廓，所述天线线圈的所述外部和内部接触衬垫被在所述外部线匝的中心区域中形成，所述天线线圈包括旁路区域，在所述旁路区域中每个线匝绕过中心区域中的外部接触衬垫。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维思电钥半导体公司，未经维思电钥半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380044934.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：矿山机械的管理系统及矿山机械的管理方法
- 下一篇：搜索结果中的外部动作建议
