[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201380038555.9 | 申请日: | 2013-07-08 |
公开(公告)号: | CN104508548B | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 横山雅俊;小森茂树;佐藤学;冈崎健一;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1343;G09F9/30 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动,来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖,并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
【主权项】:
一种显示装置,包括:像素部,包括:具有半导体层、栅电极层、源电极层以及漏电极层的晶体管;覆盖所述晶体管的第一无机绝缘膜;所述第一无机绝缘膜上的有机绝缘膜;所述有机绝缘膜上的第一透明导电层;所述第一透明导电层上的第二无机绝缘膜;以及隔着所述第二无机绝缘膜在所述第一透明导电层上的第二透明导电层,该第二透明导电层在形成于所述有机绝缘膜及所述第一无机绝缘膜中的开口中与所述晶体管的所述源电极层和所述漏电极层中的一个电连接,其中,所述第二无机绝缘膜的边缘部与所述有机绝缘膜重叠,并且,所述第二无机绝缘膜不与所述晶体管的所述栅电极层重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380038555.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:使用群组稀疏性分析来识别关键帧
- 下一篇:流体阀