[发明专利]强化基板加热控制的有无基座式基板支座的基板处理系统有效
申请号: | 201380016403.9 | 申请日: | 2013-03-21 |
公开(公告)号: | CN104205320B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·M·拉内什;凯拉什·帕塔雷 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/205;C23C16/458 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在此提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中,一种设备包括处理配件,所述处理配件包括第一环,在基板的周边边缘附近支撑所述基板;第二环,设置在所述第一环周围;和路径,形成在所述第一环与所述第二环之间,使所述第一环得以对所述第二环旋转,其中所述路径实质上防止光在第一空间与第二空间之间行进,所述第一空间设置在所述第一环与所述第二环下方,而所述第二空间设置在所述第一环与所述第二环上方。 | ||
搜索关键词: | 强化 加热 控制 有无 基座 式基板 支座 处理 系统 | ||
【主权项】:
一种处理配件,所述处理配件包括:第一环,当基板设置在所述第一环上时,所述第一环在所述基板的周边边缘附近支撑所述基板;第二环,所述第二环设置在所述第一环周围;第三环,所述第三环设置在所述第一环与所述第二环之间,所述第三环包括:内唇部与外唇部,所述内唇部从所述第三环的内表面朝所述第一环径向延伸,所述外唇部从所述第三环的外表面朝所述第二环径向延伸;环形突出部,所述环形突出部从所述内唇部向上延伸,其中所述环形突出部具有斜角端部,使得在所述内唇部附近的第一厚度大于位在所述环形突出部的斜角端部处的第二厚度,所述环形突出部的斜角端部接触所述第一环,并且最小化在所述环形突出部与所述第一环之间的接触面积;和路径,所述路径形成在所述第二环与所述第三环之间,所述路径使所述第一环和所述第三环得以对所述第二环旋转,其中所述路径实质上防止光在第一空间与第二空间之间行进,所述第一空间设置在所述第一环、所述第二环与所述第三环下方,而所述第二空间设置在所述第一环、所述第二环与所述第三环上方,并且其中所述第二环进一步包括:第二内唇部,所述第二内唇部从所述第二环的内表面朝所述第三环径向延伸,其中所述路径由所述外唇部与所述第二内唇部的重叠所形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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