[发明专利]梯度聚合物结构和方法有效
| 申请号： | 201380015908.3 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN104220902B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 尼子雅章;G·B·加德纳;S·斯维尔;吉田真宗 | 申请（专利权）人： | 美国陶氏有机硅公司;道康宁东丽株式会社 |
| 主分类号： | G02B1/04 | 分类号： | G02B1/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光学制品，所述光学制品包含含有机硅的组合物。所述有机硅组合物包括具有第一折光率的第一区域和具有第二折光率的第二区域。所述第一折光率不同于所述第二折光率。 | ||
| 搜索关键词： | 折光率 光学制品 有机硅组合物 梯度聚合物 第二区域 第一区域 机硅 | ||
【主权项】：
1.一种光学制品，包含：含有机硅的组合物，其包括第一区域，所述第一区域具有第一折光率；和第二区域，所述第二区域具有不同于所述第一折光率的第二折光率，其中所述含有机硅的组合物包括至少一种树脂‑线性组合物，所述至少一种树脂‑线性组合物包含有机硅氧烷嵌段共聚物，其中所述有机硅氧烷嵌段共聚物含有：40摩尔％至90摩尔％的式[R12SiO2/2]的二硅氧基单元，10摩尔％至60摩尔％的式[R2SiO3/2]的三硅氧基单元，0.5摩尔％至25摩尔％的硅醇基团[≡SiOH]；其中：R1独立地为C1至C30烃基，R2独立地为C1至C20烃基；其中：所述二硅氧基单元[R12SiO2/2]以线性嵌段排列，每个线性嵌段平均具有10至400个二硅氧基单元[R12SiO2/2]，所述三硅氧基单元[R2SiO3/2]以具有至少500g/mol的分子量的非线性嵌段排列，所述非线性嵌段的至少30％彼此交联并主要以纳米域聚集在一起，每个线性嵌段连接到至少一个非线性嵌段；并且所述有机硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000g/mol的重均分子量，并在25℃下为固体。
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