[发明专利]面光源有效
申请号: | 201380014419.6 | 申请日: | 2013-02-20 |
公开(公告)号: | CN104169633B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 斯特凡·伊莱克;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;亚历山大·林科夫;托马斯·布莱谢尔;诺温·文马尔姆;沃尔夫冈·门希 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | F21K99/00 | 分类号: | F21K99/00;G02F1/1335;H01L33/58;H01L33/54;H01L33/44 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在至少一个实施方式中,面光源(1)包括一个或多个具有辐射主侧(20)的用于产生初级辐射(P)的光电子半导体芯片(2)。散射体(3)沿着半导体芯片(3)的主放射方向(x)设置在辐射主侧(20)的下游。散射体(3)构建为用于散射初级辐射(P)。散射体(3)的主发射方向(y)倾斜于半导体芯片(2)的主放射方向(x)取向。 | ||
搜索关键词: | 光源 | ||
【主权项】:
一种面光源(1),具有:‑至少一个光电子半导体芯片(2),所述半导体芯片用于产生初级辐射并且具有辐射主侧(20),‑至少一个散射体(3),所述散射体沿着所述半导体芯片(2)的主放射方向(x)设置在所述辐射主侧(20)的下游,并且所述散射体构建为用于散射所述初级辐射,其中‑所述散射体(3)具有至少一个主发射方向(y),所述主发射方向倾斜于所述半导体芯片(2)的所述主放射方向(x)取向,‑所述散射体(3)的宽度沿着所述主放射方向(x)减小,‑所述散射体(3)沿着所述主放射方向(x)的高度(H)大于所述散射体(3)的横截面的最大宽度(B),‑所述散射体(3)包括辐射能穿透的基质材料和嵌在所述基质材料中的散射颗粒和/或转换剂的颗粒,‑在俯视图中来看,所述面光源(1)的光放射面积和所述半导体芯片(2)的所述辐射主侧(20)的面积的商为至少250,‑在俯视图中来看,所述散射体(3)完全地覆盖所述半导体芯片(2),并且‑在横截面中来看,所述散射体(3)的所述主发射方向(y)和所述半导体芯片(2)的所述主放射方向(x)以在70°和90°之间的角度相对于彼此取向,其中包括边界值,‑所述散射体(3)是多面体并且具有带有三角形的基本形状的横截面,并且该基本形状是所述散射体(3)的外部的轮廓在横截面中的形状。
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