[发明专利]磁记录介质用溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201380013280.3 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104170015B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 荻野真一;中村祐一郎 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;B21B3/00;C22C19/07;C22F1/10;C23C14/34;C22F1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁记录介质用溅射靶，其特征在于，富B相的平均颗粒面积为90μm2以下。一种磁记录介质用溅射靶的制造方法，其特征在于，对合金铸锭进行热处理后，进行至少包含一次以上冷轧的一次轧制，然后进行二次轧制，并对其进行机械加工从而制作靶。本发明得到了在磁记录介质用溅射靶中富B相的破裂少且漏磁通密度高的靶，由此解决如下课题：使溅射时的放电稳定，抑制以富B相的破裂为起点的电弧放电，从而抑制粉粒产生。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质用溅射靶，其为通过轧制Co‑Pt‑B基锭而得到的溅射靶，其特征在于，包含Pt：1～26原子％、B：1～15原子％、余量为Co和不可避免的杂质，富B相的平均颗粒面积为90μm2以下。
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