[发明专利]薄膜热敏电阻元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201380001059.6 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103688320A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 伊藤谦治;丰田直 | 申请（专利权）人： | SEMITEC株式会社 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜热敏电阻元件，其为具备Si基板2、形成于Si基板2上的热敏电阻薄膜5以及形成于热敏电阻薄膜5的膜上、膜下或膜中的由白金或其合金等形成的电极3的薄膜热敏电阻元件，其特征在于，电极3是在包含氧和氮的情况下成膜后进行热处理而结晶化来形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 热敏电阻 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜热敏电阻元件，其为具备基体、形成于所述基体上的热敏电阻薄膜以及形成于所述热敏电阻薄膜的膜上、膜下或膜中的至少一对电极的薄膜热敏电阻元件，其特征在于，所述一对电极具备由白金或其合金等形成的电极层，所述电极层为晶体。
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