[实用新型]一种基于浮栅技术的二值动态BiCMOS与门电路有效
申请号: | 201320851581.0 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN203661036U | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 胡晓慧;杭国强;周选昌;杨旸;章丹艳 | 申请(专利权)人: | 浙江大学城市学院 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 张羽振 |
地址: | 310015*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本实用新型公开了一种基于浮栅技术的二值动态BiCMOS与门电路,包括动态时钟控制电路、输入电路和输出电路;所述动态时钟控制电路包括pMOS管P1和P2;所述输入电路包括三输入浮栅nMOS管N1;所述输出电路包括npn型三极管Q1和Q2;所述pMOS管P1和P2的源级接工作电压VDD;所述三输入浮栅nMOS管N1的源级和一个输入端接地;所述npn型三极管Q1的集电极接工作电压VDD;所述npn型三极管Q2的发射极接地;所述动态时钟控制电路P1和P2的栅极分别接CP和 |
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搜索关键词: | 一种 基于 技术 动态 bicmos 与门 电路 | ||
【主权项】:
1.一种基于浮栅技术的二值动态BiCMOS与门电路,其特征在于:包括动态时钟控制电路、输入电路和输出电路; 所述动态时钟控制电路包括pMOS管P1和P2;所述输入电路包括三输入浮栅nMOS管N1; 所述输出电路包括npn型三极管Q1和Q2; 所述pMOS管P1和P2的源级接工作电压VDD;所述三输入浮栅nMOS管N1的源级和一个输入端接地;所述npn型三极管Q1的集电极接工作电压VDD;所述npn型三极管Q2的发射极接地; 所述动态时钟控制电路P1和P2的栅极分别接CP和
所述动态时钟控制电路P1和P2的漏极分别接Q1和Q2的基极;所述输入电路N1的三个输入端分别接输入x、y、GND;所述输入电路N1的漏极接P2的漏极; 所述输出电路Q1的发射极和Q2的集电极接输出F。
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