[实用新型]背发射极对称异质结太阳电池有效
申请号: | 201320780356.2 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN203760487U | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 郭万武 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/072 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 张晓东 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种背发射极对称异质结太阳电池,该太阳电池在硅衬底的受光面和背光面上具有彼此隔离并且交替分布的相反导电类型半导体薄膜,形成异质结背发射极的半导体薄膜与受光面上相同导电类型的半导体薄膜在硅衬底两侧对应设置,并且形成异质结背发射极的半导体薄膜的掺杂浓度大于受光面上相同导电类型的半导体薄膜的掺杂浓度。本实用新型的有益效果是:消除了电极遮光产生的电流损失。共面交替对称异质结结构在衬底内部形成的非均匀内建势,将电池衬底分成多区域基区,有助于内部载流子的侧向输送,大幅度减小了载流子扩散长度,提升了载流子的收集效率。 | ||
搜索关键词: | 发射极 对称 异质结 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种背发射极对称异质结太阳电池,其特征是:包括硅衬底(1),在硅衬底(1)的受光面上具有彼此隔离并且交替分布的相反导电类型半导体薄膜,在硅衬底(1)的背光面上具有彼此隔离并且交替分布的相反导电类型的半导体薄膜,背光面上与硅衬底(1)导电类型相反的半导体薄膜与硅衬底(1)形成异质结背发射极,在背光面上的相反导电类型的半导体薄膜上制作各自的金属电极(8),分别收集电子和空穴, 形成异质结背发射极的半导体薄膜与受光面上相同导电类型的半导体薄膜在硅衬底(1)两侧对应设置,并且形成异质结背发射极的半导体薄膜的掺杂浓度大于受光面上相同导电类型的半导体薄膜的掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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