[实用新型]一种打火杆烧球的氮气保护装置有效
| 申请号： | 201320724838.6 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN203596337U | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 周宗涛 | 申请（专利权）人： | 诺得卡（上海）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人： | 李征旦 |
| 地址： | 上海市闵行区浦星路78*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种打火杆烧球的氮气保护装置，包括氮气嘴固定架、第一氮气嘴和第二氮气嘴，所述氮气嘴固定架为长方体结构，所述氮气嘴固定架的底部向上开设一前后贯通的凹槽，所述凹槽的槽底为圆弧形，所述氮气嘴固定架的一侧横向开设一与所述凹槽的一侧的槽壁贯通的第一孔，所述氮气嘴固定架的顶部垂直开设一与所述凹槽的槽底贯通的第二孔；所述第一氮气嘴安装在所述第一孔内且其一端延伸至所述氮气嘴固定架的外部；所述第二氮气嘴安装在所述第二孔内且其一端延伸至所述氮气嘴固定架的外部。本实用新型的打火杆烧球的氮气保护装置，可以提高焊接产品的成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 打火 杆烧球 氮气 保护装置 | ||
【主权项】：
一种打火杆烧球的氮气保护装置，其特征在于，包括氮气嘴固定架、第一氮气嘴和第二氮气嘴，其中：所述氮气嘴固定架为长方体结构，所述氮气嘴固定架的底部向上开设一前后贯通的凹槽，所述凹槽的槽底为圆弧形，所述氮气嘴固定架的一侧横向开设一与所述凹槽的一侧的槽壁贯通的第一孔，所述氮气嘴固定架的顶部垂直开设一与所述凹槽的槽底贯通的第二孔；所述第一氮气嘴安装在所述第一孔内且其一端延伸至所述氮气嘴固定架的外部；所述第二氮气嘴安装在所述第二孔内且其一端延伸至所述氮气嘴固定架的外部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
