[实用新型]一种磁路的结构有效
| 申请号： | 201320593022.4 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN203456216U | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 吴兴壹;陈健 | 申请（专利权）人： | 深圳市维迪科实业有限公司 |
| 主分类号： | H01F7/00 | 分类号： | H01F7/00;H01F41/02 |
| 代理公司： | 深圳市智科友专利商标事务所 44241 | 代理人： | 孙子才 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种磁路的结构，包括磁场激励源和导磁体，所述的导磁体包括第一导磁体和第二导磁体，所述的第一导磁体为两级阶梯轴形状，所述的第二导磁体为两级阶梯孔形状；所述的第二导磁体盖合在所述的第一导磁体上，所述的第一导磁体的两截轴分别设置在所述的第二导磁体的两段孔内；所述的磁场激励源为设置在所述的第一导磁体的台阶上的环形永磁体；在所述的第一导磁体的两截轴的外表面与所述的第二导磁体的两段孔的内表面分别形成第一气隙和第二气隙。本实用新型的磁路在磁通通过的路径上形成了两个气隙，在两个所隙中可以分别使用，克服了目前磁路结构中只有一个气隙的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁路 结构 | ||
【主权项】：
一种磁路的结构，包括磁场激励源和导磁体，其特征在于：所述的导磁体包括第一导磁体（2）和第二导磁体（3），所述的第一导磁体（2）为两级阶梯轴形状，所述的第二导磁体（3）为两级阶梯孔形状；所述的第二导磁体（3）盖合在所述的第一导磁体（2）上，所述的第一导磁体（2）的两截轴分别设置在所述的第二导磁体（3）的两段孔内；所述的磁场激励源（1）为设置在所述的第一导磁体（2）的台阶上的磁体；在所述的第一导磁体（2）的两截轴的外表面与所述的第二导磁体（3）的两段孔的内表面分别形成第一气隙（5）和第二气隙（4）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市维迪科实业有限公司，未经深圳市维迪科实业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320593022.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
