[实用新型]石英陶瓷坩埚有效
| 申请号： | 201320553807.9 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN203546204U | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 廖祖伟;何钊煊;朱青松 | 申请（专利权）人： | 徐州协鑫太阳能材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 221116 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种石英陶瓷坩埚，包括底壁、侧壁，侧壁以及底壁共同形成一收容区。其中侧壁包括靠近底壁的第一侧壁以及位于第一侧壁上方的第二侧壁，第二侧壁的壁厚由上至下逐渐增加。本实施方式的石英陶瓷坩埚将侧壁分为第一侧壁以及第二侧壁两部分。其中第二侧壁的壁厚由上至下逐渐增加，使得石英陶瓷坩埚内部具有一定的拔模角度，在能够满足石英陶瓷坩埚在制作过程中便于脱模的情况下，第一侧壁的壁厚能够尽量减薄，从而增加了由第一侧壁所围成的长晶区的长晶空间，有效保证了半成品硅锭的长晶尺寸。半成品硅锭在开方的过程中，能够将沉积在半成品硅锭周边的杂质切除，最终能够降低硅片“黑边”不良的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 石英 陶瓷 坩埚 | ||
【主权项】：
一种石英陶瓷坩埚，包括底壁、侧壁以及与所述底壁相对的顶面，其特征在于：所述侧壁包括靠近所述底壁的第一侧壁以及靠近所述顶面的第二侧壁，所述第二侧壁的壁厚由上至下逐渐增加；所述底壁及所述侧壁之间形成收容区，所述底壁具有位于所述收容区内的底面，所述底面呈正方形。
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