[实用新型]LED外延片

摘要

本实用新型公开了一种LED外延片，包括依次叠加的衬底、GaN缓冲层、第一N-GaN接触层、第一多量子阱发光层、P-GaN接触层、N型电极和P型电极，所述P-GaN接触层另一面依次设有第二多量子阱发光层和第二N-GaN接触层；第一N-GaN接触层和第二N-GaN接触层上均与N型电极连接。本实用新型P-GaN接触层的两侧设有并联的发光层，有源发光层的面积增加了一倍，在相同的驱动电流下，流过发光层的电流密度下降了一半，电流密度均匀化程度提高，降低了电流抑制衰退现象，同时LED的正向压降降低，发光效率高。发光层面积的增加，在保证亮度的情况下，可以缩小芯片面积，提高驱动电流，既降低LED芯片成本，又不会降低光效。

主权项

一种LED外延片，包括依次叠加的衬底（1）、GaN缓冲层（2）、第一N‑GaN接触层（31）、第一多量子阱发光层（41）、P‑GaN接触层（5）、N型电极和P型电极（7），其特征是所述P‑GaN接触层（5）另一面依次设有第二多量子阱发光层（42）和第二N‑GaN接触层（32）；第一N‑GaN接触层（31）和第二N‑GaN接触层（32）上均与N型电极连接。