[实用新型]晶体硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201320345849.3 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN203325915U | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 夏正月;任常瑞;张满良;高艳涛;陶龙忠;张斌;邢国强 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 夏雪 |
| 地址： | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池，该晶体硅太阳能电池包括硅衬底和生长在硅衬底表面的氮化硅薄膜，在所述硅衬底和氮化硅薄膜之间还生长有氧化硅薄膜或非晶硅薄膜。本实用新型具备抗PID的性能，而且不降低太阳能电池的转换效率性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池，包括硅衬底和生长在硅衬底表面的氮化硅薄膜，其特征在于：在所述硅衬底和氮化硅薄膜之间还生长有氧化硅薄膜或非晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
