[实用新型]一种薄膜磁阻传感器有效
| 申请号： | 201320236299.1 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN203299361U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 金磊 | 申请（专利权）人： | 金磊 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种薄膜磁阻传感器，包括基片，所述基片上设有种子层；所述种子层采用双层结构，所述种子层包括下种子层和上种子层；所述种子层上设有铁磁自由层；所述铁磁自由层上设有隔离层；所述隔离层上依次设有铁磁被钉扎层和反铁磁钉扎层；所述反铁磁钉扎层上设有保护层，本实用新型结构简单、使用方便，由于薄膜磁阻传感器体积小，耐高温，可实现微弱磁场准确测量，而且制作本实用新型加工工艺均为通用工艺，可实现薄膜磁阻传感器的批量生产，有效降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 磁阻 传感器 | ||
【主权项】：
一种薄膜磁阻传感器，其特征在于，包括基片（1），所述基片（1）上设有种子层；所述种子层采用双层结构，所述种子层包括下种子层（2）和上种子层（3）；所述种子层上设有铁磁自由层（4）；所述铁磁自由层（4）上设有隔离层（5）；所述隔离层（5）上依次设有铁磁被钉扎层（6）和反铁磁钉扎层（7）；所述反铁磁钉扎层（7）上设有保护层（8）。
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