[实用新型]中子探测器有效
| 申请号： | 201320198268.1 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN203217086U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 孙志嘉;周健荣;陈元柏;王艳凤;杨桂安;许虹;唐彬;杨振 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | G01T3/00 | 分类号： | G01T3/00;G01T3/08 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址： | 100049 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种中子探测器，包括：用于提供漂移电场的漂移电极、用于对入射的中子进行转换的涂硼气体电子倍增器结构、用于对中子转换后产生的原初电子进行气体放大的气体电子倍增器结构以及用于读出放大后的电子信号的读出电极；漂移电极、涂硼气体电子倍增器结构、气体电子倍增器结构和读出电极互相平行设置且顺次排列；涂硼气体电子倍增器结构采用至少一个级联的第一气体电子倍增器膜构成，且第一气体电子倍增器膜的至少一面涂有硼层。本实用新型能够大大提高中子探测效率且计数率高，时间分辨率好，可实现更高量级的时间分辨，同时该中子探测器兼具气体探测器的优点γ抑制能力高、成本低和可大面积制作。 | ||
| 搜索关键词： | 中子 探测器 | ||
【主权项】：
一种中子探测器，其特征在于，包括： 用于提供漂移电场的漂移电极、用于对入射的中子进行转换的涂硼气体电子倍增器结构、用于对所述中子转换后产生的原初电子进行气体放大的气体电子倍增器结构以及用于读出放大后的电子信号的读出电极； 所述漂移电极、所述涂硼气体电子倍增器结构、所述气体电子倍增器结构和所述读出电极互相平行设置，且顺次排列； 所述涂硼气体电子倍增器结构采用至少一个级联的第一气体电子倍增器膜构成，且所述第一气体电子倍增器膜的至少一面涂有硼层；所述气体电子倍增器结构包括第二气体电子倍增器膜。
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