[实用新型]基于第n代DRAM开发的第n-x代DRAM有效
| 申请号： | 201320139618.7 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN203150544U | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大;濮必得;谈杰 | 申请（专利权）人： | 西安华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/31 |
| 代理公司： | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人： | 田洲 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种基于第n代DRAM开发的第n-x代DRAM，包括第n代DRAM存储器和ASIC芯片，所述第n代DRAM存储器和ASIC芯片封装在一起形成一个封装体，即第n-x代DRAM；所述n、x均为自然数，且n≥2，n-x≥1。本实用新型从市场上购买低价的第n代DRAM存储器，然后再和另外的ASIC芯片（ASIC芯片用来支持从n代到n-x代功能转换）封装在一起，从而生产出支持第n-x代功能的DRAM存储器，其结构简单、成本低、性能可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 dram 开发 | ||
【主权项】：
一种基于第n代DRAM开发的第n‑x代DRAM，其特征在于，包括第n代DRAM存储器（1）和ASIC芯片（2），所述第n代DRAM存储器（1）和ASIC芯片（2）封装在一起形成一个封装体，即第n‑x代DRAM；所述n、x均为自然数，且n≥2，n‑x≥1。
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