[实用新型]一种电场控制的反射型磁光开关有效
| 申请号： | 201320077540.0 | 申请日： | 2013-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN203149240U | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 胡雨航 | 申请（专利权）人： | 胡雨航 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315040 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 实现电场对磁光开关的调控，是十分有意义的。本实用新型提供一种电场控制的反射型磁光开关，包括电极、压电体、磁性介质、激光源、探测器，其中，压电体的两面生长有电极，磁性介质生长于电极上，激光源与探测器位于磁性介质的上方，且激光源与探测器以磁性介质的法线呈镜面对称分布。本实用新型的激光源发射的激光照射到磁性介质上，反射到探测器中。当需要改变磁光开关的工作状态时，在电极上施加电压，压电体发生形变，应力传递给磁性介质，使得磁性介质的磁化强度发生变化，进而调控磁光开关的工作状态。本实用新型材料电场控制的结构，具有结构简单、控制精确、节约能源的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 控制 反射 型磁光 开关 | ||
【主权项】：
一种电场控制的反射型磁光开关，包括电极、压电体、磁性介质、激光源、探测器，其特征在于：所述的压电体的两面生长有电极，磁性介质生长于电极上，激光源与探测器位于磁性介质的上方。
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