[实用新型]一种电场控制的反射型磁光开关

说明书

技术领域

本实用新型涉及磁光开关领域，尤其涉及到一种电场控制的反射型磁光开关。

背景技术

磁光克尔效应是指偏振光从磁性介质表面反射之后，受磁性介质的磁化强度影响，偏振光的偏振方向发生变化。利用这种反射型的磁光克尔效应能够做成反射型的磁光开关，能够调节偏振光的偏振态，通过与偏振片的配合实现光的通过与关断。一般来说，需要用磁场来改变磁性介质的磁化强度，进而改变磁光开关的工作状态，但是，磁场的产生往往比较复杂，需要用到电流的电磁感应，也存在着能源浪费的问题。如果直接用电场实现对磁光开关的调控，将是十分有意义的。

实用新型内容

本实用新型提供一种电场控制的反射型磁光开关，具有结构简单、控制精确、节约能源的优点。本实用新型所采取的技术方案为，一种电场控制的反射型磁光开关，包括电极、压电体、磁性介质、激光源、探测器，其中，压电体的两面生长有电极，磁性介质生长于电极上，激光源与探测器位于磁性介质的上方，且激光源与探测器以磁性介质的法线呈镜面对称分布。

本实用新型的激光源发射的激光照射到磁性介质上，反射到探测器中。当需要改变磁光开关的工作状态时，在电极上施加电压，压电体发生形变，应力传递给磁性介质，使得磁性介质的磁化强度发生变化，进而调控磁光开关的工作状态。本实用新型材料电场控制的结构，具有结构简单、控制精确、节约能源的优点。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图中：1电极、2压电体、3磁性介质、4激光、5激光源、6探测器。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。

图1为本实用新型的结构示意图，电极1、压电体2、磁性介质3、激光4、激光源5、探测器6，其中，压电体2的两面生长有电极1，磁性介质3生长于电极1上，激光源5与探测器6位于磁性介质3的上方，且激光源5与探测器6以磁性介质3的法线呈镜面对称分布。本实用新型的激光源5发射的激光4照射到磁性介质3上，反射到探测器6中。当需要改变磁光开关的工作状态时，在电极1上施加电压，压电体2发生形变，应力传递给磁性介质3，使得磁性介质3的磁化强度发生变化，进而调控磁光开关的工作状态。本实用新型材料电场控制的结构，具有结构简单、控制精确、节约能源的优点。