[实用新型]矿用变频器的插接式母排结构有效
申请号: | 201320051739.6 | 申请日: | 2013-01-30 |
公开(公告)号: | CN203056836U | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 徐明;范久斌;毕鑫;高岩伟 | 申请(专利权)人: | 沈阳辽通电气有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00 |
代理公司: | 沈阳科威专利代理有限责任公司 21101 | 代理人: | 杨滨 |
地址: | 110122 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种矿用变频器的插接式母排结构,它包括若干IGBT模块以及压紧装置,其技术要点是:所述压紧装置依次由上压板,上绝缘板,IGBT上极板,IGBT下极板,下绝缘板,下压板组合而成;IGBT上极板与IGBT下极板上设有若干触点;IGBT上极板与IGBT下极板通过极板上的触点固定在IGBT模块的相应极点上;IGBT上极板上设有上绝缘板,上绝缘板上设有上压板;IGBT下极板下设有下绝缘板,下绝缘板下设有下压板;IGBT上极板与IGBT下极板之间形成插槽结构。解决了现有IGBT结构易导致杂散电感的产生、无法通过较大电流、安装复杂、使用寿命短、不利于维护等问题。 | ||
搜索关键词: | 变频器 插接 式母排 结构 | ||
【主权项】:
一种矿用变频器的插接式母排结构,它包括若干IGBT模块以及压紧装置,其特征是:所述压紧装置依次由上压板,上绝缘板,IGBT上极板,IGBT下极板,下绝缘板,下压板组合而成;IGBT上极板与IGBT下极板上设有若干触点;IGBT上极板与IGBT下极板通过极板上的触点固定在IGBT模块的相应极点上;IGBT上极板上设有上绝缘板,上绝缘板上设有上压板;IGBT下极板下设有下绝缘板,下绝缘板下设有下压板;IGBT上极板与IGBT下极板之间形成插槽结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳辽通电气有限公司,未经沈阳辽通电气有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320051739.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:框架结构多标号混凝土节点浇筑施工方法
- 下一篇:染色面料接头寻找器
- 同类专利
- 专利分类
H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置