[实用新型]一种过压保护电路有效

专利信息
申请号: 201320026048.0 申请日: 2013-01-18
公开(公告)号: CN203218857U 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 周厚明;李顶房 申请(专利权)人: 武汉迈威光电技术有限公司
主分类号: H02H3/20 分类号: H02H3/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430073 湖北省武汉市东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型公开了一种过压保护电路,包括MOS管Q1﹑可调分流基准电压源芯片U1,分压电阻R1﹑R2﹑R3﹑R4,限流电阻R5,其中:所述的MOS管Q1为N沟道MOS管,它的源极与输入电源负端相连,漏极与受保护的后级电路电源负端相连,栅极与分压电阻R1﹑R2的公共端相连;所述的分压电阻R1另一端与输入电源正端相连,电阻分压R2的另一端与输入电源负端相连;所述的可调分流基准电压源芯片U1,它的阴极与分压电阻R1﹑R2的公共端相连,阳极与输入电源负端相连,参考输入与限流电阻R5一端相连;所述的限流电阻R5另一端与分压电阻R3﹑R4的公共端相连;所述的分压电阻R3的另一端与电源正端相连,分压电阻R4的另一端与输入电源负端相连。
搜索关键词: 一种 保护 电路
【主权项】:
一种过压保护电路,主要用来保护设备的后级电路防止过压造成的损坏,其特征在于:包括MOS管Q1﹑可调分流基准电压源芯片U1,分压电阻R1﹑R2﹑R3﹑R4,限流电阻R5 ,其中:所述的MOS管Q1为N沟道MOS管,它的源极与输入电源负端相连,漏极与受保护的后级电路电源负端相连,栅极与分压电阻R1﹑R2的公共端相连;所述的分压电阻R1另一端与输入电源正端相连,电阻分压R2的另一端与输入电源负端相连;所述的可调分流基准电压源芯片U1,它的阴极与分压电阻R1﹑R2的公共端相连,阳极与输入电源负端相连,参考输入与限流电阻R5一端相连;所述的限流电阻R5另一端与分压电阻R3﹑R4的公共端相连;所述的分压电阻R3的另一端与电源正端相连,分压电阻R4的另一端与输入电源负端相连。
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