[实用新型]太阳能电池正面膜层结构有效
申请号: | 201320012480.4 | 申请日: | 2013-01-10 |
公开(公告)号: | CN203179901U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 李国庆;王晨光 | 申请(专利权)人: | 湖北弘元光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 433000 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种太阳能电池正面膜层结构,包括沉积在硅片上的第一层氮化硅减反射膜,第一层氮化硅减反射膜上沉积有第二层氮化硅减反射膜,所述第一层减反射膜的折射率高于第二层减反射膜;第二层氮化硅减反射膜上沉积有第三层氮化硅减反射膜,所述第二层减反射膜的折射率高于第三层减反射膜。本实用新型具有结构合理、减反射效果好的特点,在硅片上采用三层减反射膜的设计,第一层采用折射率最高的材质以减少入射到硅片的光向第二膜层反射,第二膜层采用折射率较第一膜层低的材质以减少射入膜层里面的光被第一膜层向第三膜层反射,第三膜层采用折射率最低的材质,能有效降低太阳能电池表面反射率,使光容易射向底层,提高电池本身对光的吸收效果。该实用新型改善了现有太阳能电池硅片表面单层减反射膜不利于对太阳光的吸收、光电转化效率低等问题,其经济效益显著。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 面膜 结构 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池正面膜层结构,包括沉积在硅片上的第一层氮化硅减反射膜,其特征是所述第一层氮化硅减反射膜上沉积有第二层氮化硅减反射膜,所述第一层氮化硅减反射膜的折射率高于第二层氮化硅减反射膜;第二层氮化硅减反射膜上沉积有第三层氮化硅减反射膜,所述第二层氮化硅减反射膜的折射率高于第三层氮化硅减反射膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北弘元光伏科技有限公司,未经湖北弘元光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320012480.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于大气污染物监测仪的光谱数据采集装置
- 下一篇:纸币循环钱箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的