[发明专利]互补型薄膜晶体管驱动背板及其制作方法、显示面板有效
申请号: | 201310742725.3 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103715147A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 任章淳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/417;H01L23/50;H01L21/8238;H01L27/092 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种互补型薄膜晶体管驱动背板及其制作方法、显示面板;该互补型薄膜晶体管驱动背板的制作方法,包括:在衬底基板上设置下半导体层,并形成P型半导体有源层;在下半导体层上设置栅绝缘层;在栅绝缘层上设置下电极层,并形成P型晶体管栅极、N型晶体管源极和N型晶体管漏极;在下电极层上设置上半导体层,并形成像素电极和N型半导体有源层;在上半导体层上设置隔离绝缘保护层,并形成接触孔和保护单元;在隔离绝缘保护层上设置上电极层,并形成P型晶体管源极、P型晶体管漏极和N型晶体管栅极;在上电极层上设置像素定义层,并形成像素连接口。 | ||
搜索关键词: | 互补 薄膜晶体管 驱动 背板 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种互补型薄膜晶体管驱动背板的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:在衬底基板上设置下半导体层,并形成P型半导体有源层;在下半导体层上设置栅绝缘层;在栅绝缘层上设置下电极层,并形成P型晶体管栅极、N型晶体管源极和N型晶体管漏极;所述P型晶体管栅极位于所述P型半导体有源层的上方;利用氧化物半导体材料在下电极层上设置上半导体层,并通过构图工艺形成像素电极和N型半导体有源层;所述N型半导体有源层的两端分别与所述N型晶体管源极和N型晶体管漏极搭接;对所述像素电极区域对应的氧化物半导体材料进行等离子体处理;在上半导体层上设置隔离绝缘保护层,并形成保护单元和位于所述P型半导体有源层两端和所述像素电极对应区域的接触孔;在隔离绝缘保护层上设置上电极层,并形成P型晶体管源极、P型晶体管漏极和N型晶体管栅极;所述P型晶体管源极、P型晶体管漏极分别通过所述接触孔与所述P型半导体有源层的两端相连,所述N型晶体管栅极位于所述N型半导体有源层的上方;在上电极层上设置像素定义层,并形成像素连接口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造