[发明专利]互补型薄膜晶体管驱动背板及其制作方法、显示面板有效

专利信息
申请号: 201310742725.3 申请日: 2013-12-27
公开(公告)号: CN103715147A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 任章淳 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/417;H01L23/50;H01L21/8238;H01L27/092
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李迪
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种互补型薄膜晶体管驱动背板及其制作方法、显示面板;该互补型薄膜晶体管驱动背板的制作方法,包括:在衬底基板上设置下半导体层,并形成P型半导体有源层;在下半导体层上设置栅绝缘层;在栅绝缘层上设置下电极层,并形成P型晶体管栅极、N型晶体管源极和N型晶体管漏极;在下电极层上设置上半导体层,并形成像素电极和N型半导体有源层;在上半导体层上设置隔离绝缘保护层,并形成接触孔和保护单元;在隔离绝缘保护层上设置上电极层,并形成P型晶体管源极、P型晶体管漏极和N型晶体管栅极;在上电极层上设置像素定义层,并形成像素连接口。
搜索关键词: 互补 薄膜晶体管 驱动 背板 及其 制作方法 显示 面板
【主权项】:
一种互补型薄膜晶体管驱动背板的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:在衬底基板上设置下半导体层,并形成P型半导体有源层;在下半导体层上设置栅绝缘层;在栅绝缘层上设置下电极层,并形成P型晶体管栅极、N型晶体管源极和N型晶体管漏极;所述P型晶体管栅极位于所述P型半导体有源层的上方;利用氧化物半导体材料在下电极层上设置上半导体层,并通过构图工艺形成像素电极和N型半导体有源层;所述N型半导体有源层的两端分别与所述N型晶体管源极和N型晶体管漏极搭接;对所述像素电极区域对应的氧化物半导体材料进行等离子体处理;在上半导体层上设置隔离绝缘保护层,并形成保护单元和位于所述P型半导体有源层两端和所述像素电极对应区域的接触孔;在隔离绝缘保护层上设置上电极层,并形成P型晶体管源极、P型晶体管漏极和N型晶体管栅极;所述P型晶体管源极、P型晶体管漏极分别通过所述接触孔与所述P型半导体有源层的两端相连,所述N型晶体管栅极位于所述N型半导体有源层的上方;在上电极层上设置像素定义层,并形成像素连接口。
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