[发明专利]基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法有效
| 申请号： | 201310719075.0 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103700644A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 薛恺;于大全 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法，其包括衬底；所述衬底具有第一主面以及与所述第一主面对应的第二主面；所述衬底掺杂区域内设有电容槽，电容槽穿过所述掺杂区域，且电容槽的槽口从第一主面指向第二主面的方向延伸，所述掺杂区域包裹在电容槽上部侧壁的周围；电容槽内设有电容介质体以及电容填充导体，所述电容填充导体通过电容介质体与电容槽的内壁相接触；衬底的第一主面上方设有第一电容连接电极及第二电容连接电极，第一电容连接电极与掺杂区域欧姆接触，第二电容连接电极与电容填充导体电连接。本发明结构紧凑，工艺步骤简便，能在转接板上制造高密度电容，工艺兼容性好，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 tsv 工艺 转接 板深槽 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于TSV工艺的转接板深槽电容，包括衬底（1）；所述衬底（1）具有第一主面以及与所述第一主面对应的第二主面；其特征是：所述衬底（1）的掺杂区域（2）内设有电容槽（3），电容槽（3）穿过所述掺杂区域（2），且电容槽（3）的槽口从第一主面指向第二主面的方向延伸，所述掺杂区域（2）包裹在电容槽（3）上部侧壁的周围；电容槽（3）内设有电容介质体以及电容填充导体（14），所述电容填充导体（14）通过电容介质体与电容槽（3）的内壁相接触；衬底（1）的第一主面上方设有第一电容连接电极（18）及第二电容连接电极（19），第一电容连接电极（18）与掺杂区域（2）欧姆接触，第二电容连接电极（19）与电容填充导体（14）电连接。
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