[发明专利]栅极移位寄存器及使用其的显示装置有效

专利信息
申请号: 201310718167.7 申请日: 2013-12-23
公开(公告)号: CN104134416A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 赵成炫;孔忠植;张成旭 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;G11C19/28
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种栅极移位寄存器及使用它的显示装置,所述栅极移位寄存器包括:多个级,所述多个级接收多个时钟,以产生栅极输出信号,其中彼此从属地连接的所述级的第n级包括:输出第n栅极输出信号的输出节点;上拉TFT,所述上拉TFT根据Q节点的电位在具有第n相位的时钟的输入端与输出节点之间开关电流;下拉TFT,所述下拉TFT根据QB节点的电位在低电位电压的输入端与输出节点之间开关电流;和BTS补偿单元,紧跟在所述第n级被复位后直到就在下一帧中所述第n级被置位前为止,所述BTS补偿单元以低电位电平将QB节点周期性放电。
搜索关键词: 栅极 移位寄存器 使用 显示装置
【主权项】:
一种栅极移位寄存器,包括:多个级,所述多个级接收相位被依次移位的多个时钟,以产生栅极输出信号,其中彼此从属地连接的所述级的第n级包括:输出所述栅极输出信号中的第n栅极输出信号的第一输出节点;第一上拉薄膜晶体管,根据第一Q节点的电位,在所述时钟之中具有第n相位的时钟的输入端与第一输出节点之间开关电流;第1‑1下拉薄膜晶体管,根据与第一Q节点不同地充电和放电的第一QB节点的电位,在低电位电压的输入端与第一输出节点之间开关电流;第1‑1开关薄膜晶体管,通过根据具有领先于第n栅极输出信号的相位的相位的第一起始信号将第一高电位电压的输入端连接到第一Q节点,以高电位电平将第一Q节点充电;第2‑1开关薄膜晶体管,根据第一Q节点的电位以低电位电平将第一QB节点放电;第3‑1开关薄膜晶体管,根据具有落后于第n栅极输出信号的相位的相位的复位信号以低电位电平将第一Q节点放电;第4‑1开关薄膜晶体管,根据第一QB节点的电位以低电位电平将第一Q节点放电;和第一偏置应力补偿单元,紧跟在第n级被复位后直到就在下一帧中第n级被置位前为止,所述第一偏置应力补偿单元以低电位电平将第一QB节点周期性放电。
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