[发明专利]应用于多晶硅提纯的氮化硅涂层回收方法

摘要

本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种应用于多晶硅提纯的氮化硅涂层回收方法，使用过后的氮化硅涂层主要含有氮化硅、二氧化硅和少量杂质元素，首先利用离心机分离，去除大部分密度较小二氧化硅部分，再利用硝酸和氢氟酸的混合液可以将剩余的二氧化硅和少量杂质元素溶解，但几乎不与氮化硅反应，再经过蒸干和清洗后，经过干燥即可提纯出满足坩埚喷涂使用要求的高纯氮化硅粉体。本发明的优点在于（1）回收工艺简单可行，氮化硅粉体回收率高，可以达到50～70%；（2）按照使用过后的氮化硅涂层计算，回收可利用的氮化硅粉体价值为800～1500元/kg；（3）回收得到的氮化硅粉体中α氮化硅质量含量92%以上，N元素质量含量38%以上。

主权项

一种应用于多晶硅提纯的氮化硅涂层回收方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将坩埚内表面和硅锭外表面的氮化硅涂层剥落回收，利用研磨机研磨成粉体；（2）将粉体置于离心机中进行初步分离，分离后去除占总体积20～25%的顶部部分；（3）将剩余部分浸泡到氢氟酸和硝酸的混合酸中，再经水浴加热蒸干，残留物经去离子水冲洗后采用压滤机分离固液两相，将固相放置烘干箱内烘干即可；（4）将烘干后的固相抽样用ICP‑MS进行成分检测，达到标准的可以重复回收利用，不达标的重复步骤（3），直至达标。