[发明专利]一种矩阵式瞬态抑制二极管的制造方法无效
| 申请号： | 201310695097.8 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103617953A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 于波;王云峰;董彬;陈芳 | 申请（专利权）人： | 天津中环半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种矩阵式瞬态抑制二极管的制造方法。采用平面制造工艺，将多个瞬态抑制二极管集成于一个芯片内，形成阵列排布的共阳极瞬态抑制二极管模组，根据反向抑制电压和矩阵式瞬态抑制二极管单原包面积，利用光刻方法制作光刻板转移图形，再将图形转移到P型硅基片表面上，在P型硅基片上表面的图形内同时进行每个元胞区的制造过程。矩阵式瞬态抑制二极管可替代原有瞬态抑制二极管，广泛应用于通讯、计算机及相关设备、消费类产品、汽车/工业电子、电源/医疗产品等领域。特别是后序配合小型化封装QFN，SOT（请给出中文）等为客户提供了更为方便灵活的选择。从而满足市场对瞬态抑制二极管矩阵式的高品质、小型化的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 矩阵 瞬态 抑制 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种矩阵式瞬态抑制二极管的制造方法，其特征在于，采用平面制造工艺，将多个瞬态抑制二极管集成于一个芯片内，形成阵列排布的共阳极瞬态抑制二极管模组，首先根据反向抑制电压和矩阵式瞬态抑制二极管单原包面积，利用光刻方法制作光刻板转移图形，再将图形转移到经过一次氧化的P型硅基片表面上，在P型硅基片上表面的图形内同时进行每个元胞区的制备过程；所述的P型硅基片的电阻率为0.0060‑0.0065ohm.cm，在P型硅基片中注入磷离子1.6*1016，在形成PN结的热推进过程中，设定热推进温度为1150℃，热推进时间为150min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
