[发明专利]基于水玻璃‑陶瓷复合介质的TSV封装再分布层制备方法有效
申请号: | 201310675641.2 | 申请日: | 2013-12-11 |
公开(公告)号: | CN103762182B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 鹿雯;丁桂甫;罗江波;汪红 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/316 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于水玻璃‑陶瓷复合介质的TSV封装再分布层制备方法,包括以下步骤(1)混合水玻璃和陶瓷粉末,使陶瓷粉末均匀分散在水玻璃中;(2)将混合物均匀涂覆在再分布互连线已经完成的晶圆表面;(3)通过程序控温烘干固化上述混合浆料,形成水玻璃‑陶瓷复合介质;(4)再次用少量水玻璃涂覆前述复合介质表面以填充其中存在的空隙,并烘干固化;(5)对成型的复合介质层进行研磨平坦化处理,露出金属连接柱,即可完成单层再分布层制备。本发明采用湿法工艺制备无机绝缘介质,流程简便、工艺成本低廉,可与常规工艺兼容。介质材料与晶圆及金属布线热匹配性好,化学稳定性高,导热性良好,可以有效提高TSV互连的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 基于 水玻璃 陶瓷 复合 介质 tsv 封装 再分 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于水玻璃‑陶瓷复合介质的TSV封装再分布层制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将水玻璃和陶瓷粉末混合,使陶瓷粉末均匀分散在水玻璃中,得到混合浆料;所述的陶瓷粉末为AlN,或者所述的陶瓷粉末为AlN与以下物质中一种或多种混合物:BN、SiC、Si3N4、Al2O3;(2)将上述混合浆料均匀涂覆在再分布互连线已经完成的晶圆表面;(3)通过程序控温烘干固化上述混合浆料,形成水玻璃‑陶瓷复合介质;步骤(3)中,所述的固化方式为加热固化,起始温度为室温,升温速度为0.1~10℃/min,最高温度为500℃;(4)再次用少量水玻璃涂覆步骤(3)中得到的复合介质表面以填充其中存在的空隙,并烘干固化;(5)对成型的复合介质层进行研磨平坦化处理,露出金属连接柱,即完成单层再分布层制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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