[发明专利]基于一维硒化镉/碳杂化纳米结构的光电探测器件及制备方法

摘要

基于一维硒化镉/碳杂化纳米结构的光电探测器件及制备方法，包括普通玻璃、封装层、单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料、导线、金属电极、薄膜基底；在平整的薄膜基底上放置单根一维硒化镉/碳杂化纳米结构材料；在硒化镉/碳杂化纳米结构两端点上金/银/铂浆，形成金属电极，与此同时在两端金属电极处分别粘接铜导线，在洁净的大气环境中放置3-5小时；将封装材料缓慢地贴覆在整个单根一维硒化镉/碳杂化纳米结构材料及薄膜基底上，之后再将普通玻璃平稳放在封装层上，在150℃真空烘箱保温30分钟。本发明制备工艺简单，具有较宽的波长响应范围以及可通过调制外加偏压实现正光电导到负光电导的转变，对实际应用非常有利。

主权项

基于一维硒化镉/碳杂化纳米结构的光电探测器件，其特征是包括普通玻璃（1）、封装层（2）、单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料（3）、导线（4）、金属电极（5）、薄膜基底（6）；单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料（3）放置在薄膜基底（6）上，导线（4）接入单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料（3）的两个金属电极（5）端，封装层（2）将单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料（3）封装在薄膜基底（6）上，封装层（2）上为普通玻璃（1）层；所述使用的薄膜基底材料是聚乙酰胺薄膜或聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜；所述的封装层采用乙烯乙烯基醋酸盐胶膜作为封装材料。