[发明专利]一种钙钛矿结构太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201310650505.8 | 申请日: | 2013-12-03 |
公开(公告)号: | CN103700768A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 袁宁一;董旭;丁建宁;胡宏伟;房香 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及太阳能电池,特指一种钙钛矿结构太阳能电池及其制备方法。首先是在掺杂氟的SnO2(FTO)导电玻璃先沉积一层氧化钛或氧化锌n型层,然后再沉积一层杂化钙钛矿结构CH3NH3PbI3,接着沉积p型硅薄膜,最后沉积金属电极层;其中,氧化锌或氧化钛层利用原子层沉积方法制备,该方法可以制备出非常致密的氧化物,并且膜厚可以准确控制;钙钛矿结构的CH3NH3PbI3可以通过溶液法或共蒸发方法制备;p型硅薄膜可以通过等离子体化学气相沉积方法制备;金属电极可以通过热蒸发或溅射方法制备,其特征在于利用p型硅薄膜取代spiro-OMeTAD有机p型层,成本低,容易实现大面积生产,能提高电池的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 结构 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种钙钛矿结构太阳能电池,所述太阳能电池从下至上依次为FTO导电玻璃层、n型层、杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层、P型层和金属电极,其特征在于;所述P型层为p型硅薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州大学,未经常州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310650505.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法
- 下一篇:一种纺织收布装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择