[发明专利]柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法

摘要

本发明涉及太阳电池，特指柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法。本发明的目的是充分发挥硅纳米线优异的光吸收特性，利用湿法腐蚀工艺在单晶硅衬底上制备单晶硅纳米线阵列，采用铜导电胶带将硅纳米线转移至铜箔上，再制备纳米线电池。本发明不同于直接利用在单晶硅衬底上的硅纳米线阵列制作电池，而是先将硅纳米线转移至柔性基底上，再制备硅纳米线电池；这样单晶硅衬底就可以重复多次使用，降低了硅材料的消耗，节约了材料成本。

主权项

柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法，所述的太阳能电池结构为铜箔/p型单晶硅纳米线/非晶硅钝化层/n型硅薄膜/AZO/Ag，其特征在于所述制备方法包括如下步骤：（1）在p型单晶硅上利用湿法腐蚀方法形成单晶硅纳米线；（2）采用铜导电胶带将硅纳米线转移至铜箔上；（3）利用PECVD方法在单晶硅纳米线上制备非晶硅钝化层和n型硅薄膜；（4）利用ALD技术在n型硅薄膜上制备AZO层；（5）利用磁控溅射方法在AZO层上制备Ag栅电极。