[发明专利]集成电路电源ESD保护电路有效
申请号: | 201310636669.5 | 申请日: | 2013-12-03 |
公开(公告)号: | CN103646945B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 李志国 | 申请(专利权)人: | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102209 北京市昌平区北七家未*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种集成电路电源ESD保护电路。其特征在于,本发明中的电源ESD保护电路基于电压触发机制由电压触发单元发送触发信号给RC延迟单元,来控制ESD器件的表面沟道开启进行静电放电。而当电路正常工作时,对于夹杂着高频噪声的电源,本发明可以屏蔽电源噪声,降低电源噪声波动引起的电源漏电。该电路节省了传统ESD设计中的SAB和ESD注入mask,节约生产成本。本发明是一种成本低、响应快、开启电压低、电源漏电低、放电能力强的电源ESD保护电路。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 电源 esd 保护 电路 | ||
【主权项】:
集成电路电源ESD保护电路,其特征在于,该电路由电压触发单元、RC延迟单元和表面沟道放电单元三部分构成,电压触发单元是基于由二极管串(104)和第一电阻(105)构成的一种分压电路的电压触发结构,电压触发单元中的反相器结构由PMOS(106)和第一NMOS(107)构成,并且采用非对称反相器设计,其中第一NMOS(107)的沟道宽度是PMOS(106)的沟道宽度的2‑5倍,RC延迟单元通过电容(110)和第二电阻(109)的充电放电过程将第二NMOS器件(111)的电压信号转化为200nS‑1000nS的时间延迟信号,来控制ESD放电时间,表面沟道放电单元则是采用第三NMOS器件(103)的表面沟道开启进行放电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的