[发明专利]基于致命缺陷修正的缺陷扫描方法有效
| 申请号： | 201310630279.7 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103646894A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 何理;许向辉;郭贤权;陈超 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种基于致命缺陷修正的缺陷扫描方法，通过将芯片置于缺陷扫描机台上进行扫描，提取芯片内所有缺陷的特征信息；将所有缺陷的特征信息输入到缺陷数据库，获取每一个缺陷所对应的修正系数k，其中，该缺陷数据库根据缺陷的所有特征信息对芯片良率的影响赋予不同的修正系数k；统计芯片上所有经修正的缺陷数量之和，与所述芯片的控制标准值w相比较，判断芯片上的缺陷是否正常，其在以缺陷数量来判断芯片缺陷是否正常的前提下，引入致命缺陷这一修正因素更精确和快速的判断芯片缺陷是否正常，并能快速发现有问题的机台，减少其对产品的持续影响，提高产品的良率和生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 致命 缺陷 修正 扫描 方法 | ||
【主权项】：
一种基于致命缺陷修正的缺陷扫描方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S01：将芯片置于缺陷扫描机台上进行扫描，提取所述芯片内所有缺陷的特征信息；步骤S02：将所有缺陷的特征信息输入到缺陷数据库，获取每一个缺陷所对应的修正系数k，其中，该缺陷数据库根据缺陷的所有特征信息对芯片良率的影响赋予不同的修正系数k；步骤S03：统计所述芯片上所有经修正的缺陷数量之和，与所述芯片的控制标准值w相比较，判断芯片上的缺陷是否正常，其中，当所述芯片上所有经修正的缺陷数量之和小于控制标准值w时，芯片上的缺陷正常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
