[发明专利]利用二次阳极氧化铝模板制备CdS纳米线的方法无效
| 申请号： | 201310618446.6 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103603004A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王宏智;张卫国;姚素薇 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00;C25B11/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用二次阳极氧化铝模板制备CdS纳米线的方法；其CdS纳米线直径为80～120nm，长度为1～10μm。利用三电极体系进行控电位沉积；将二次阳极氧化铝膜电极置于电解液中，控电位沉积CdS纳米线，沉积电位为-0.9～-1.1V，电解液温度为30～60℃；然后将二次阳极氧化铝膜电极经超声清洗，放入烘箱烘干，得到CdS纳米线。应用本方法制备的CdS纳米线长度一致，排列整齐，纳米线表面光滑，并且纳米线直径长度可控。本发明设备简单，易于操作，通常在常温、常压下进行，因而生产成本低，容易实现工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 二次 阳极 氧化铝 模板 制备 cds 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种利用二次阳极氧化铝模板制备CdS纳米线的方法；其特征是将二次阳极氧化铝膜电极置于电解液中，控电位沉积CdS纳米线，沉积电位为‑0.9～‑1.1V，电解液温度为30～60℃；然后将二次阳极氧化铝膜电极经超声清洗，放入烘箱烘干后，得到CdS纳米线。
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