[发明专利]一种硅锭铸造装置有效
申请号: | 201310603804.6 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN103590105A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 刘华;庞海涛;张英;王丙宽;张小建 | 申请(专利权)人: | 天津英利新能源有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 301510 天津市滨海新区津汉公*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅锭铸造装置,该硅锭铸造装置包括坩埚和垫片,其中,坩埚用于容纳铸造硅锭的原材料,垫片放置于坩埚的底部,且该垫片背离坩埚底面的第一表面上设置有若干凹坑,凹坑在第一表面上均布,垫片的材料熔点高于硅锭材料的熔点;在硅锭制备过程中,垫片第一表面上设置的凹坑就充当了长晶初期的成核点,凹坑在第一表面上规则均布,使得硅锭长晶初期成核均匀,晶粒向上生长,最终整锭晶粒也较为均匀;这样,第一表面上的凹坑充当了硅锭长晶出气的成核点,长晶是否均匀与坩埚底部的温度无关,打破了坩埚底部温度对长晶均匀性的决定性影响,在无法改善坩埚底部温度均匀性时,提高晶体的成核规律性,从而提高长晶均匀性,进而提高硅锭品质。 | ||
搜索关键词: | 一种 铸造 装置 | ||
【主权项】:
一种硅锭铸造装置,包括坩埚,其特征在于,还包括放置于所述坩埚底部的垫片(1),所述垫片(1)背离坩埚底面(3)的第一表面上设置有若干凹坑(2),所述凹坑(2)在所述第一表面均布,且所述垫片(1)的材料熔点高于硅锭的材料熔点。
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