[发明专利]具有强吸收结构的高速SNSPD及其制备方法有效
申请号: | 201310596327.5 | 申请日: | 2012-09-10 |
公开(公告)号: | CN103579405A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 成日盛;刘建设;李铁夫;陈炜 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/0352;H01L31/18;G01J1/42 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贾玉健 |
地址: | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 具有强吸收结构的高速SNSPD及其制备方法,该SNSPD基于高折射率入射介质和空气腔结构,可以进一步提高超导纳米线的光子吸收率,与现有技术相比,本发明用相同材料和厚度的超导超薄膜制成纳米线的条件下,用更低的占空比就可以实现接近于100%的吸收率,这使得电子束曝光步骤的难度大大降低,这尤其对于超细纳米线的制备来说更为有利,而SOI衬底的采用则可以同时保证超导薄膜的高质量生长,不影响探测器的本征量子效率,另外,在保证同样大的有效探测面积的条件下,由于需要的纳米线的总长度显著减小,探测器的最高计数率可以得到提升,制备过程中发生缺陷的概率显著降低。 | ||
搜索关键词: | 具有 吸收 结构 高速 snspd 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有强吸收结构的高速SNSPD,其特征在于,包括金属薄膜反射镜(8),金属薄膜反射镜(8)下方有透明介质材料构成的上层谐振腔(9),上层谐振腔(9)下方为超导纳米线二(10),超导纳米线二(10)下方为外延单晶Si层(11),外延单晶Si层(11)下方为Si衬底二(12),Si衬底二(12)朝向外延单晶Si层(11)开有底层谐振腔二(13),Si衬底二(12)下方有防反射膜二(14)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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