[发明专利]X射线成像探测器及其制造方法和制造感光元件的方法无效
申请号: | 201310593723.2 | 申请日: | 2013-11-21 |
公开(公告)号: | CN103839954A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | V.O.莱勃尼;V.B.克劳泽 | 申请(专利权)人: | 伊姆普斯封闭式股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B6/00;G01N23/04 |
代理公司: | 北京航忱知识产权代理事务所(普通合伙) 11377 | 代理人: | 陈立航;王兵 |
地址: | 俄罗斯联*** | 国省代码: | 俄罗斯;RU |
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摘要: | 本发明提供一种X射线成像探测器及其制造方法和制造感光元件的方法,涉及X射线工程、医疗诊断和无损测试方法领域,用于处理X射线可视化和图像获取,能够用在X射线平板成像探测器。所述X射线成像探测器,包括:感光传感器阵列,安装在公用基底上,所述公用基底上的所述传感器阵列的每个感光元件包括:感光板,基底,以及位于所述感光板和所述基底之间的、使用粘接剂固定的弹性变形中间层,所述中间层使所述感光元件具有给定厚度,并且形成具有给定平面度的感光表面,每个所述感光元件通过在所述公用基底上进行固定,来以能够进行替换而不破坏所述感光表面的平面度的方式安装到所述公用基底。 | ||
搜索关键词: | 射线 成像 探测器 及其 制造 方法 感光 元件 | ||
【主权项】:
一种X射线成像探测器,其特征在于,包括:感光传感器阵列,安装在公用基底上,所述公用基底上的所述传感器阵列的每个感光元件包括:感光板,基底,以及位于所述感光板和所述基底之间的、使用粘接剂固定的弹性变形中间层,所述中间层使所述感光元件具有给定厚度,并且形成具有给定平面度的感光表面,每个所述感光元件通过在所述公用基底上进行固定,来以能够进行替换而不破坏所述感光表面的平面度的方式安装到所述公用基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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