[发明专利]一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法有效
| 申请号： | 201310588119.0 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103575216A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 庄须叶;陈博;黄斌;吕东锋;何凯旋;郭群英 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | G01B11/00 | 分类号： | G01B11/00 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233042 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法，将清洁后的硅深腔构件(1)作为模具，使用聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)倒入硅深腔构件(1)内进行铸摸，脱模后即得到凸起的具有硅深腔构件内表面形貌特征的聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)，对聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)外部形貌参数进行检测，然后进行反推运算即可得知硅深腔构件(1)内表面的形貌参数，检测过程简单方便，且无需破坏深腔构件(1)，能够有效地降低检测成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 微机 构件 硅深腔 无损 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤:a)对硅深腔构件(1)内表面进行清洗去除硅深腔构件(1)内表面的污物，然后将硅深腔构件(1)内表面进行改性处理；b)混合聚二甲基硅氧烷的基质与固化剂，配置聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)；c)将配置好的聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)倒入硅深腔构件(1)内，让聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)在硅深腔构件(1)顶部自流平，填满硅深腔构件(1)；之后将填充有聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)的硅深腔构件(1)放入真空室中进行脱气处理，让硅深腔构件内(1)的气体充分释放，使聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)与硅深腔构件(1)内表面紧密接触；d)将硅深腔构件(1)放入热板内烘烤，让聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)成型；e)将成型后的聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)从硅深腔构件(1)内脱出，得到凸起的具有硅深腔构件内表面形貌的聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)；f)使用显微成像装置对聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)的外部形貌参数进行检测；g)对检测后得到的聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)的外部形貌参数进行反推运算，即得到硅深腔构件(1)内表面的形貌参数。
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