[发明专利]一种摄像头保护电路

摘要

本发明公开了一种摄像头保护电路，它包括端口A、端口B和端口C，端口A连接在场效应管M2的漏极上，端口A通过电阻R5与场效应管M1的漏极相连，场效应管M1的源极接地，所述的端口B连接在场效应管M2的栅极上，端口B通过电阻R1同时连接在场效应管M1的栅极和三极管T1的集电极上，三极管T1的发射极通过电阻R2接地，所述的三极管T1的基极连接在三极管T2的基极上，端口C连接在三极管T2的集电极上，三极管T2的集电极和基极之间连接有电阻R3，三极管T2的发射极通过电阻R4与地连接，场效应管M2的源极连接在三极管T2的发射极上。其优点是：采样精度高，且电流可调节。

主权项

一种摄像头保护电路，其特征在于：它包括端口A、端口B和端口C，所述的端口A连接在场效应管M2的漏极上，所述的端口A通过电阻R5与场效应管M1的漏极相连，所述的场效应管M1的源极接地，所述的端口B连接在场效应管M2的栅极上，所述的端口B通过电阻R1同时连接在场效应管M1的栅极和三极管T1的集电极上，所述的三极管T1的发射极通过电阻R2接地，所述的三极管T1的基极连接在三极管T2的基极上，所述的端口C连接在三极管T2的集电极上，所述的三极管T2的集电极和基极之间连接有电阻R3，所述的三极管T2的发射极通过电阻R4与地连接，所述的场效应管M2的源极连接在三极管T2的发射极上，所述的场效应管M1和场效应管M2均为P型场效应管，所述的三极管T1和三极管T2均为NPN型三极管。