[发明专利]制备晶体硅太阳能电池氧化硅膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备晶体硅太阳能电池氧化硅膜的方法。该方法包括将硅片置于纳米二氧化钛水分散液中，采用紫外光照射硅片，然后将硅片取出、烘干。应用本发明的技术方案，利用纳米二氧化钛在紫外光下的强氧化性，使置于纳米TiO2水分散液中的硅片表面氧化生成厚度可控的氧化硅膜，其中纳米TiO2作为催化剂参与反应，原料消耗极少，同时此方法所需设备简单，不需要采用复杂的真空镀膜设备，工艺操作简单，能够有效降低生产成本，适于大规模生产。同时纳米TiO2在氧化太阳能硅片的同时，在与太阳能硅片被氧化区域水分子会被部分还原为氢气，此部分氢气部分渗透到氧化硅膜中，从而提高氧化硅膜层质量。

主权项

一种制备晶体硅太阳能电池氧化硅膜的方法，其特征在于，将硅片置于纳米二氧化钛水分散液中，采用紫外光照射所述硅片，然后将所述硅片取出、烘干。