[发明专利]薄膜晶体管驱动背板及其制造方法在审
申请号: | 201310567220.8 | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN104637950A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 辛龙宝;黄添旺 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄嵩泉;吕俊清 |
地址: | 201500 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了薄膜晶体管驱动背板及其制造方法,在一透光绝缘基板上形成若干不透光的栅电极,在透光绝缘基板上形成一栅极绝缘膜,覆盖栅电极;在栅极绝缘膜上形成一图案化的光导半导体层,光导半导体层包含与栅电极沿透光绝缘基板方向重叠区域和超出区域,通过电磁辐射转化超出区域为导体,分别为薄膜晶体管的源极区域和漏极区域;形成一图形化的保护层,覆盖光导半导体层,保护层上形成有露出漏极区域的像素电极接触孔;形成像素电极,通过像素电极接触孔耦接漏极区域;以及形成一绝缘层,覆盖在保护层上,露出部分像素电极,本发明通过局部转化光导半导体材料,一步形成源极区域、漏极区域和沟道,制造工序简单,提高设备稼动率。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 驱动 背板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:一透光绝缘基板;若干不透光的栅电极,形成于所述透光绝缘基板上;一栅极绝缘膜,形成于所述透光绝缘基板上,覆盖所述栅电极;以及一图案化的光导半导体层,形成于所述栅极绝缘膜上,所述光导半导体层包含与所述栅电极沿所述透光绝缘基板方向重叠区域和超出区域,所述超出区域通过电磁辐射转化为导体,分别为所述薄膜晶体管的源极区域和漏极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的