[发明专利]一种X射线传感器的阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201310566270.4 | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN103560135A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 杨东 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 张恺宁 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及传感器技术领域,尤其涉及一种X射线传感器的阵列基板及其制造方法,以解决现有技术制造X射线传感器阵列基板时,需要经过多次掩膜工艺,制作工艺较为复杂,并且掩膜工艺次数多,制造成本高,产品的良品率低的问题。本发明实施例提供了一种X射线传感器的阵列基板的制造方法,该方法形成薄膜晶体管器件和光电二极管传感器器件的步骤中,通过同一次掩膜工艺形成了栅极图形和欧姆层,省去了现有技术中沟道阻挡层的掩膜工艺形成过程,钝化层替代了沟道阻挡层的作用,防止在后续工艺对沟道的影响;改变了栅极图形和欧姆层的位置,减少了掩膜工艺的次数,简化了整列基板的制造工艺,提高了产能,由于工艺的简化,产品的良品率也相应提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 射线 传感器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种X射线传感器的阵列基板的制造方法,其特征在于,该方法包括形成薄膜晶体管器件和光电二极管传感器器件的步骤,形成薄膜晶体管器件的步骤包括:在衬底基板上通过掩膜工艺形成栅极图形;在形成栅极图形的基板上沉积栅极绝缘层;形成光电二极管传感器器件的步骤包括:在形成栅极图形的同时通过同一次掩膜工艺形成欧姆层图形;在形成欧姆层图形的基板上通过掩膜工艺形成半导体层和透明电极图形;沉积的栅极绝缘层同时覆盖在形成半导体层和透明电极图形的基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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