[发明专利]S形光子晶体光纤锥传感器及其制备方法无效
申请号: | 201310555969.0 | 申请日: | 2013-11-09 |
公开(公告)号: | CN103558663A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 石飞飞;王金忠;赵连城 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G02B6/255 | 分类号: | G02B6/255;G01N21/45 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | S形光子晶体光纤锥传感器及其制备方法,涉及一种光子晶体光纤锥传感器及其制备方法。所述传感器由光纤经拉锥工艺制成,塌孔区域变形为S形,锥长L=250~350μm,腰径W=80~120μm,偏移距离△d=30~50μm。本发明中,使用EricssonFSU975光纤熔接机来进行电弧加热拉锥和光纤之间的熔接。本发明制造的S形扭曲提高了光子晶体光纤锥的环境折射率传感性能。在外形方面,本发明的S形光子晶体光纤锥传感器的锥长L更短和腰径W更粗。S形光子晶体光纤锥的锥腰直径与光纤直径很接近,锥长也较短,短粗的外形将大大延长传感头的使用寿命,提高它的耐用程度,而且更适用于微区的环境折射率探测。 | ||
搜索关键词: | 光子 晶体 光纤 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
S形光子晶体光纤锥传感器,其特征在于所述传感器由光纤经拉锥工艺制成,塌孔区域变形为S形,锥长L=250~350μm,腰径W=80~120μm,偏移距离△d=30~50μm。
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